实盘杠杆平台 锴威特：“功率IC+功率器件”双轮驱动 稳步推进产品研发及迭代升级
由于银价在本周早些时候确认跌破看空楔形，加之相对强弱指数(RSI)回落，这让白银空头充满希望。20.00美元/盎司关口似乎是白银空头关注的短期支撑位，空头希望攻克20.00美元/盎司，以重新获得控制权。
受美元大涨打压，周一现货白银收盘重挫逾2%，报20.25美元/盎司。
今年上半年，功率半导体行业仍处于行业周期的底部酝酿复苏的阶段，面对逆周期的挑战，优异的企业选择坚守内核，保持高敏锐度，等待深蹲起跳的机遇。
这其中，科创板上市企业锴威特(688693.SH)坚持自主创“芯”，围绕“功率IC +功率器件”的双轮驱动发展战略，持续加大研发创新投入，第三代功率半导体取得实质性进展。
公司已成功掌握了功率半导体芯片的前沿设计技术，并自主构建了多个针对功率半导体细分市场的技术平台。公司在高可靠性、工业控制(涵盖汽车前装与后装、新能源)以及消费电子三大核心领域，已推出包括平面 MOSFET、功率IC等超过700款产品，这些丰富的产品线充分满足了客户的多元化需求，同时，针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力，有力推动了功率半导体核心芯片的国产化进程，实现了自主可控的目标。
持续加大研发创新投入
研发费用同比增长43.58%
根据锴威特8月30日发布的半年度业绩报告，公司实现营业总收入5763.07万元。为进一步回馈股东，公司决定向全体股东实施现金分红，具体方案为每10股派发1元人民币(含税)，据此计算，本次分红总额预计为7,368,421.10元人民币(含税)。
报告期内，公司坚守研发创新能力建设，持续增加研发投入，根据市场发展趋势、下游客户需求，不断拓宽产品系列，有序推动产品研发与迭代升级工作，加强自主研发产品的市场竞争力。报告期内，公司研发费用达到2,498.00万元，较去年同期增长43.58%，为公司未来发展注入硬核驱动力。
截至2024年6月30日，公司研发人员占比高达41.71%。在知识产权方面，报告期内，公司新增授权专利21项(含发明专利19项、实用新型专利2项)，并新增集成电路布图设计专有权11项。截至同日，公司累计获得授权专利109项(含发明专利66项、实用新型专利43项)，集成电路布图设计专有权87项。
产品矩阵丰富
MOSFET多项技术达到国际先进水平
在功率器件领域，公司产品专注于高压平面MOSFET的研发与生产，产品覆盖40V至1700V电压段，构建了一个包含低压、中压、高压在内的全系列功率MOSFET产品线，共包含近500种不同规格的产品。此外，公司依托平面MOSFET工艺平台，成功设计并开发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。
在技术积淀方面，公司已成功掌握多项核心技术，这些技术包括但不限于“高可靠性元胞结构设计” “新型复合终端结构及其实现工艺技术”以及“一种基于Power MOS管的高压快速启动AC-DC开关电源实现方案”等。尤为值得一提的是，其中三项技术已达到国际先进水平，另一项技术则在国内占据领先地位。这些技术突破极大地提升了公司产品的关键性能指标，使其能够与国际顶尖厂商的同类产品比肩。
在报告期内，公司完善了沟槽MOSFET及高压超结技术的工艺平台优化与产品布局工作，成功开发了100V SGT工艺平台，并构建了面向12英寸晶圆、覆盖20V至40V电压范围的沟槽工艺平台。同时，完成了650V 100A大电流超结产品的开发。
第三代功率半导体设计能力国内领先
以SiC为代表的第三代半导体材料，为功率半导体行业带来了新的发展契机。SiC凭借低功耗、耐高压、耐高温、高频等优势特性，在助力国家实现碳中和战略目标方面具有重要作用，应用前景广阔。
据了解，锴威特已同时具备硅(Si)基及SiC基功率器件的设计、研发能力，并积累了多项具有原创性和先进性的核心技术。特别是在SiC基功率器件方面，公司是国内少数几家掌握650V至3300V SiC MOSFET设计能力的企业之一，其产品已成功覆盖行业内主流电压段。
在报告期内，公司加大了SiC MOSFET加工领域的产能布局，并深化了工艺平台的开发。公司与国内晶圆代工厂紧密合作，共同研发了针对1200V、1700V、2600V及3300V SiC MOSFET的先进生产工艺平台。其中，1200V SiC MOSFET的工艺平台已顺利推进至中试阶段，展现出良好的技术成熟度与稳定性。此外，公司还新推出了2600V与3300V SiC MOSFET产品，目前产品进入客户验证阶段。
功率IC产品线持续拓宽
成功推出多款高性能产品
在功率IC领域，公司的产品系列聚焦于PWM控制IC与栅极驱动IC。截至目前，公司已成功开发出逾百款功率IC产品，并圆满完成了多款IC所需的IP设计与验证。在技术创新层面，公司自主研发了诸如“全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”、“输入失调电压自动修正电路”等核心技术，这些技术显著提升了产品参数的统一性，增强了产品可靠性。
报告期内，在PWM控制IC领域，公司持续拓宽产品线，实现了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑产品的系列化布局。同时，推出了输入电压高达100V以上的同步Buck控制器及同步Boost控制器等新型产品。在功率驱动IC领域，公司亦取得显著进展，成功推出了80V 3A集成MOSFET的单芯片H桥驱动芯片，该芯片支持100%占空比工作，进一步增强了系统的安全性与可靠性。此外，公司还推出了180V GaN 专用半桥驱动芯片，工作频率高达 1MHz 以上，展现了卓越的性能。
未来，公司计划进一步拓展细分品类功率半导体芯片，推动功率IC与功率器件产品系列化进程，提升硅基MOSFET产品的技术水平和性能表现，优化平面MOSFET、FRMOS等产品结构及应用领域布局，强化在超高压电压段的产品开发、技术积累与客户拓展。随着产品线的持续丰富及对新应用领域的不断探索，公司将进一步增强市场占有率和核心竞争力，成为集一站式、全品类于一体的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化替代。
【免责声明】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱：news_center@staff.hexun.com